チップと半導体 · トレンド観察 （投稿の初出は 07-20〜21）
この記事の出典 2026年8月5日 夕刊
同じ評論者は、中国の先端の工程の要点は拡散の面にあると主張する。SMIC(中芯国際、中国最大のファウンドリ)だけではなく、複数のファウンドリが N+3(SMIC の第 3 世代の 7 ナノ級の工程)を持つようになる、という主張である(Teortaxes、07-20)。この 1 文には本物の交差点が 1 つある。分析機関 SemiAnalysis の 6 月の実体の分解は、SMIC の N+3 のトランジスタの密度が TSMC の 1 つ前の世代である N6 に確かに追いついていると測っている(SemiAnalysis、2026-06)。しかし同じ分解の主張は向きが逆である。この密度は、最新の露光の装置(EUV)を買えない状況で、旧い装置(DUV)の多重露光で無理に引き換えたものである。正規化した密度は Intel の最新の工程になお明らかに劣り、この工程を積んだ携帯のチップの実際の性能は 3 年前の Android の旗艦とほぼ等しく、消費電力の差はもっと大きい。両側を併せて読んだ正直な結論はこうである。1 点の密度は 1 つ前の世代に追いついた。しかし消費電力と歩留まりの代価は解けていない。「複数の工場での複製」にはいまのところ証拠がゼロである——工場の名前も、時期も、出所も無い。中国のチップの報せを見たときは、まず 1 点の突破なのか、複製できる生産の能力なのかを分けること。この 2 つは供給の面に対する意味が全く違う。
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